MIT工程師成功在電腦晶片上種植原子薄轉 istor
引言
人工智慧應用的興起促進了電腦晶片的需求。然而半導體晶片通常由塊狀材料製成，很難堆疊多層轉 istor 以創造更密集的整合，而 2D 材料可以有效地增加晶片的密度和功率。為此，麻省理工學院（MIT）的工程師群體成功展示了一種種植2D 過渡金屬二硫化物（TMD）材料的新技術，並直接種植到完整製造的矽晶片上，以實現更密集的整合。技術
將 2D 材料直接種植在矽晶片上一直是個大挑戰，因為這個過程通常需要高達攝氏六百度的溫度，而矽轉 istor 和電路的熱穩定性很容易在攝氏四百度以上被破壞。如今 MIT 跨學科的團隊開發了一個低溫生長過程，不會損壞晶片，它允許 2D 半導體轉 istor 直接整合在標準矽電路上。 研究人員設計並建造了一個全新的裂解爐。它由兩個室組成，一個是前部低溫區，放置着矽晶片，另一個後面是高溫區。蒸發的鉬和硫前藥品被泵送入高爐，然後水解/ 裂解成小分子，最後在低溫區融合形成 2D 材料層。結論
這項工作使得電腦晶片穩定、高速的應用得以推向更多地面，為未來的電子應用提供了希望。但是如同這技術一直被挑戰中一樣，它還需要繼續進行改進，才能完全滿足應用的需求。因此團隊預計將在未來進一步完善技術，亦將評估其在更多的材料特性方面的應用，揭示這個技術的潛在威力。transistor-電腦晶片,原子薄轉 istor,工程師,種植
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