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溫度極致抗性!超小記憶單元,打造微電子尖端半導體
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溫度極致抗性!超小記憶單元,打造微電子尖端半導體

微奈米技術開啟新篇章:溫度極致抗性的超小記憶單元概述德國基爾大學和特斯拉大學捷曼榮耶群島分部 (ISIT) 的材料科學家最近取得了一項重要突破,成功開發出一種能夠在極端高溫下使用的超小記憶單元。這種記憶單元基於鐵電性鋁-鈦-氮化物材料,具有出色的穩定性和功率,可應用於微電子技術中。相較於當前的矽基材

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